截至2月12日11:06，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.34%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，歐萊新材領(lǐng)漲18.32%，晶升股份上漲2.72%，上海合晶上漲1.6%；耐科裝備領(lǐng)跌3.38%，興福電子下跌2.82%，中微公司下跌1.99%。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌0.45%，最新報(bào)價(jià)1.75元。

截至2月12日11:08，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.12%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，江豐電子領(lǐng)漲8.56%，廣立微上漲5.79%，晶升股份上漲3.03%；拓荊科技領(lǐng)跌1.96%，京儀裝備下跌1.87%，華峰測(cè)控下跌1.84%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）下跌0.16%，最新報(bào)價(jià)1.9元。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤(pán)中換手4.25%，成交3.45億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤(pán)中換手2.25%，成交6131.29萬(wàn)元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周規(guī)模增長(zhǎng)2.05億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增規(guī)模領(lǐng)先同類；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)27.06億元。

資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流入1058.84萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近5個(gè)交易日內(nèi)有3日資金凈流入，合計(jì)“吸金”1.21億元，日均凈流入達(dá)2412.91萬(wàn)元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出2666.79萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近23個(gè)交易日內(nèi)有16日資金凈流入，合計(jì)“吸金”12.46億元，日均凈流入達(dá)5418.13萬(wàn)元。

消息面上，SK海力士近日通過(guò)發(fā)表在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會(huì)）全球半導(dǎo)體大會(huì)上的論文，提出了一種新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)采用了HBM和HBF兩種技術(shù)，公司將8個(gè)HBM3E和8個(gè)HBF置于英偉達(dá)Blackwell旁進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明，與單獨(dú)使用HBM相比，這種配置可以將每瓦計(jì)算性能提升高達(dá)2.69倍。

興業(yè)證券指出，當(dāng)前先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)的核心瓶頸在于大尺寸硅中介層與TSV等精密工藝的制造難度大、良率爬坡周期長(zhǎng)，同時(shí)高端封裝設(shè)備與材料的國(guó)產(chǎn)化率仍然較低，這使得產(chǎn)能與技術(shù)迭代速度成為制約國(guó)產(chǎn)高端算力芯片落地放量的關(guān)鍵因素。在AI算力需求爆發(fā)與供應(yīng)鏈自主可控的雙重驅(qū)動(dòng)下，產(chǎn)業(yè)具備明確且持續(xù)的成長(zhǎng)空間。

相關(guān)ETF：公開(kāi)信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。