招商證券指出，存儲行業(yè)自2010年至今經(jīng)歷了三個完整周期，本輪上行周期由AI服務(wù)器、多模態(tài)應(yīng)用等需求爆發(fā)推動，供需缺口持續(xù)擴大。自2025年3月起，利基DRAM價格率先上漲，25Q2-Q3 NAND Flash、DDR5等產(chǎn)品漲幅加速，10月部分型號價格環(huán)比漲幅達40-100%。需求側(cè)，AI推動數(shù)據(jù)中心存儲需求從2020年600EB增至2028年2.4ZB，Sora2等應(yīng)用顯著提升存儲消耗；技術(shù)側(cè)，HBM4將于2026年量產(chǎn)，CBA架構(gòu)、HBF方案等創(chuàng)新提升性能；供給側(cè)原廠聚焦HBM擴產(chǎn)，NAND Flash資本開支維持低位，預計2026年新增產(chǎn)能仍無法滿足需求。海外原廠25Q3營收創(chuàng)歷史新高，國內(nèi)模組廠商利潤加速釋放。展望26H1，行業(yè)供需缺口或進一步擴大，價格漲勢有望延續(xù)。

科創(chuàng)芯片ETF國泰（589100）跟蹤的是科創(chuàng)芯片指數(shù)（000685），單日漲跌幅達20%，該指數(shù)從科創(chuàng)板市場中選取涉及半導體材料、設(shè)備、設(shè)計與制造等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)的上市公司證券作為指數(shù)樣本，以反映科創(chuàng)板芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)上市公司證券的整體表現(xiàn)。該指數(shù)具有高純度的國產(chǎn)替代特征，行業(yè)集中度較高，同時受益于政策支持和AI算力需求的持續(xù)增長。

注：如提及個股僅供參考，不代表投資建議。指數(shù)/基金短期漲跌幅及歷史表現(xiàn)僅供分析參考，不預示未來表現(xiàn)。市場觀點隨市場環(huán)境變化而變動，不構(gòu)成任何投資建議或承諾。文中提及指數(shù)僅供參考，不構(gòu)成任何投資建議，也不構(gòu)成對基金業(yè)績的預測和保證。如需購買相關(guān)基金產(chǎn)品，請選擇與風險等級相匹配的產(chǎn)品。基金有風險，投資需謹慎。