每經(jīng)記者｜黃博文    每經(jīng)編輯｜文多    

2月24日，微導(dǎo)納米（SH688147，股價92.30元，市值425.65億元）發(fā)布2025年年度業(yè)績快報。報告顯示，公司全年實現(xiàn)營業(yè)收入26.32億元，同比下降2.52%，歸母凈利潤為2.13億元，同比下降6.12%，扣非后凈利潤同比下降18.49%。

雖然公司整體業(yè)績承壓，但半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)表現(xiàn)亮眼，收入達(dá)8.81億元，同比增長169.12%，占主營業(yè)務(wù)收入比重提升至33.5%。光伏設(shè)備業(yè)務(wù)則受行業(yè)周期性影響，收入同比下降30.62%至15.89億元，拖累整體營收。公司表示，將持續(xù)優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，積極把握半導(dǎo)體市場機(jī)遇，應(yīng)對光伏周期挑戰(zhàn)。 

""圖片來源：公告截圖

半導(dǎo)體設(shè)備收入同比激增169%

2025年，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)成為微導(dǎo)納米業(yè)績增長的核心驅(qū)動力。

公告顯示，公司2025年半導(dǎo)體設(shè)備收入達(dá)8.81億元，同比增長169.12%，占主營業(yè)務(wù)收入的比重從2024年的12.14%提升至33.50%。

在存儲設(shè)備領(lǐng)域，公司作為國內(nèi)ALD（原子層沉積）與高端CVD（化學(xué)氣相沉積）設(shè)備的主要供應(yīng)商，相關(guān)設(shè)備已廣泛應(yīng)用于國產(chǎn)存儲芯片量產(chǎn)產(chǎn)線；邏輯芯片設(shè)備領(lǐng)域，公司與國內(nèi)主流廠商保持穩(wěn)定合作，關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平；先進(jìn)封裝設(shè)備領(lǐng)域，產(chǎn)品采用獨(dú)特低溫控制技術(shù)，在保證薄膜高質(zhì)量沉積的同時，滿足先進(jìn)封裝技術(shù)低熱預(yù)算、高晶圓翹曲度、厚膜沉積等需求。

公告稱，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的高速增長得益于行業(yè)高景氣度等。2025年全球半導(dǎo)體市場持續(xù)回暖，國內(nèi)存儲芯片制造廠在技術(shù)和產(chǎn)能兩方面緊跟全球先進(jìn)水平，對關(guān)鍵設(shè)備需求增加，推動公司半導(dǎo)體設(shè)備訂單快速增長。  

光伏設(shè)備收入同比下滑31%

與半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的高增長形成對比，微導(dǎo)納米光伏設(shè)備業(yè)務(wù)收入同比下降，且成為公司整體營收下降的主因。公告解釋，光伏業(yè)務(wù)下滑主要受行業(yè)周期性、設(shè)備驗收節(jié)奏影響。  

回顧過往數(shù)據(jù)，2024年公司光伏設(shè)備收入為22.90億元，占營業(yè)收入的比重超80%。到了2025年，光伏設(shè)備收入為15.89億元，同比下降30.62%，占營業(yè)收入的比重也降至約六成。

行業(yè)分析顯示，2025年光伏行業(yè)面臨階段性產(chǎn)能過剩的問題，產(chǎn)業(yè)鏈價格持續(xù)下跌，設(shè)備需求疲軟。東吳證券研報指出，2025年前三季度光伏設(shè)備行業(yè)實現(xiàn)營業(yè)收入471.08億元，同比下降26%，歸母凈利潤合計43.09億元，同比下降34%。微導(dǎo)納米作為光伏設(shè)備龍頭，亦受行業(yè)整體下行影響。  

業(yè)績承壓中優(yōu)化結(jié)構(gòu)

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，截至2025年末，公司總資產(chǎn)達(dá)96.71億元，較期初增長17.07%，歸屬母公司所有者權(quán)益為29.56億元，較期初增長13.88%，資產(chǎn)質(zhì)量保持穩(wěn)健。

據(jù)該業(yè)績快報，為推進(jìn)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展及保持光伏技術(shù)領(lǐng)先，微導(dǎo)納米持續(xù)加大研發(fā)投入，2025年研發(fā)費(fèi)用占比維持高位。  

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，2025年我國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率已提升至35%，滲透率明顯提升。根據(jù)S型增長曲線，我國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化已進(jìn)入加速期的核心爬坡段。

微導(dǎo)納米憑借ALD/CVD技術(shù)優(yōu)勢，有望在存儲芯片、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域持續(xù)突破，推動業(yè)績結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化。 

封面圖片來源：每經(jīng)媒資庫