截至2026年3月24日10:12，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）多空膠著，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）多空膠著。

熱門(mén)個(gè)股方面，富創(chuàng)精密上漲2.21%，耐科裝備上漲2.14%，盛美上海上漲1.88%，先鋒精科上漲0.95%，滬硅產(chǎn)業(yè)上漲0.92%。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏盤(pán)中換手3.31%，成交2.69億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤(pán)中換手3.3%，成交8179.66萬(wàn)元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏近3月規(guī)模增長(zhǎng)44.47億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增規(guī)模領(lǐng)先同類(lèi)；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)24.52億元。

資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏近3天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得1.12億元凈流入，合計(jì)”吸金”1.93億元，日均凈流入達(dá)6420.39萬(wàn)元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出3893.44萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近10個(gè)交易日內(nèi)，合計(jì)“吸金”6043.90萬(wàn)元。

消息面上，Wedbush最新報(bào)告指出，在需求激增與供應(yīng)緊張的雙重推動(dòng)下，部分存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望出現(xiàn)超過(guò)100%的漲幅。Wedbush分析師在周一發(fā)布的報(bào)告中表示，DRAM與NAND存儲(chǔ)價(jià)格正快速上漲，預(yù)計(jì)2025年第四季度基礎(chǔ)上，2026年上半年價(jià)格漲幅將達(dá)到“三位數(shù)”水平。其中，DRAM價(jià)格漲幅有望達(dá)到130%至150%，NAND漲幅也接近這一水平，顯示出存儲(chǔ)市場(chǎng)正進(jìn)入新一輪強(qiáng)勁周期。

申萬(wàn)宏源認(rèn)為，存儲(chǔ)進(jìn)入超級(jí)周期，國(guó)產(chǎn)廠商嶄露頭角。AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)需求橫跨所有領(lǐng)域，2026年服務(wù)器成為存儲(chǔ)占比第一的下游應(yīng)用。年內(nèi)新增產(chǎn)能有限，存儲(chǔ)價(jià)格繼續(xù)維持高位。在存儲(chǔ)超級(jí)周期中，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)進(jìn)軍第一梯隊(duì)，長(zhǎng)鑫科技上市有望成為自主可控的里程碑。除大宗存儲(chǔ)外，專(zhuān)用型存儲(chǔ)領(lǐng)域因存儲(chǔ)原廠淡出供應(yīng)帶來(lái)產(chǎn)業(yè)重組機(jī)會(huì)。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：024417；C類(lèi)：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場(chǎng)中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：020356；C類(lèi)：020357），跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場(chǎng)指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價(jià)潮對(duì)“賣(mài)鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。