4月24日晚，華潤微（688396.SH）披露2025年全年及2026年第一季度經(jīng)營業(yè)績。2025年公司實現(xiàn)營業(yè)收入110.54億元，同比增長9.24%，歸母凈利潤6.61億元；2026年一季度業(yè)績顯著回暖，單季營收28.57億元，同比提升21.34%，歸母凈利潤3.3億元，同比大增296.56%，經(jīng)營活動現(xiàn)金流凈額6.27億元，同比增長131.50%，盈利質(zhì)量與現(xiàn)金流水平同步優(yōu)化。

在全球半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇、AI算力需求爆發(fā)、汽車電子與新能源產(chǎn)業(yè)高速增長的大背景下，華潤微以硅基半導(dǎo)體+特色工藝、SiC/GaN第三代化合物半導(dǎo)體、傳感器與光芯片為三大增長曲線，依托IDM全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，著力打造AI全鏈路協(xié)同體系，增長韌性與成長邏輯愈發(fā)清晰。

硅基半導(dǎo)體業(yè)務(wù)基本盤穩(wěn)固，特色工藝拓展新場景

全球半導(dǎo)體市場在AI應(yīng)用帶動下重回增長軌道，Gartner數(shù)據(jù)顯示2025年全球半導(dǎo)體收入總額達(dá)7930億美元，同比增長21%，AI相關(guān)芯片成為核心增長引擎。與此同時，成熟制程賽道需求穩(wěn)健增長，汽車電子、AI基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)控制等領(lǐng)域為硅基半導(dǎo)體帶來確定性增量，給國內(nèi)IDM龍頭提供增長機(jī)遇。

華潤微聚焦AI服務(wù)器電源管理、車載電驅(qū)、快充等核心應(yīng)用，持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品迭代與市場拓展，功率器件與特色工藝業(yè)務(wù)實現(xiàn)雙線突破。

報告期內(nèi)，華潤微MOSFET業(yè)務(wù)實現(xiàn)規(guī)模與價值雙提升，SJ MOS、SGT MOS等核心品類銷量顯著增長，車規(guī)級MOSFET實現(xiàn)全場景覆蓋，在OBC、智能座艙、域控制器等汽車關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，并成功拓展至AI算力、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等新興賽道。

與此同時，公司IGBT業(yè)務(wù)成果顯著，車規(guī)級產(chǎn)品批量供應(yīng)動力總成、熱管理、OBC等領(lǐng)域頭部客戶及Tier1廠商；充電樁市場實現(xiàn)頭部客戶穩(wěn)定供貨，電動工具市場完成頭部客戶批量交付；公司率先推出750V高性能IGBT產(chǎn)品，在光儲市場穩(wěn)步上量。此外，基于12吋生產(chǎn)線的新一代G7平臺順利落地，產(chǎn)品性能達(dá)到國際一流水平。

特色工藝領(lǐng)域，公司BCD及特色工藝技術(shù)持續(xù)迭代。新一代高性能數(shù)字BCD、高精度CMOS、1200V HVIC、CMOS-MEMS單芯片集成噴墨打印頭等多個技術(shù)平臺進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，同時發(fā)布0.15μm深槽隔離BCD、0.18μm 700V BCD、0.25μm SOI BCD等先進(jìn)平臺。依托成熟的制造能力，公司在智能家電、工業(yè)馬達(dá)、汽車電子BMS、信創(chuàng)噴墨打印等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，工控及汽車電子產(chǎn)品銷售額占比提升至27.2%，智能感知MEMS領(lǐng)域銷售額同比增長21%。目前，深圳12吋產(chǎn)線聚焦40nm以上BCD、HV、RF、Flash等模擬特色工藝，已建成1.5萬片/月產(chǎn)能，為后續(xù)市場拓展筑牢產(chǎn)能根基。

第三代半導(dǎo)體加速放量，車規(guī)與算力應(yīng)用雙突破

2025年是第三代半導(dǎo)體規(guī)?；瘧?yīng)用的關(guān)鍵之年。生產(chǎn)工藝持續(xù)突破推動應(yīng)用場景不斷拓寬，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入加速發(fā)展期。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2025年全球SiC MOSFET芯片及模塊市場規(guī)模達(dá)101.19億元，中國市場約22.4億元；SiC驅(qū)動芯片作為核心配套部件，占SiC器件整體市場的15%-20%。GaN在服務(wù)器電源、車載充電等領(lǐng)域需求激增，為國內(nèi)企業(yè)提供了彎道超車機(jī)遇。

華潤微緊抓第三代半導(dǎo)體發(fā)展紅利，在SiC與GaN兩大賽道同步發(fā)力，產(chǎn)品研發(fā)、客戶認(rèn)證、批量交付全面突破，成為業(yè)績新增長極。

2025年，SiC器件及模塊銷售收入實現(xiàn)翻倍以上增長。SiC MOS G3/G4平臺Rsp性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，形成650V/750V/1200V系列化產(chǎn)品矩陣，在商用車主驅(qū)、大功率快充模塊實現(xiàn)批量供貨；SiC JBS G3產(chǎn)品穩(wěn)定交付，廣泛應(yīng)用于光伏逆變、儲能、充電樁等場景；針對數(shù)據(jù)中心與光儲系統(tǒng)，公司完成1700V/2200V電壓平臺產(chǎn)品開發(fā)與量產(chǎn)。車規(guī)級SiC MOS及碳化硅模塊研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，多款產(chǎn)品已實現(xiàn)批量上車應(yīng)用。

另一方面，GaN業(yè)務(wù)也實現(xiàn)技術(shù)與市場雙豐收。公司氮化鎵外延中心正式啟用，產(chǎn)能擴(kuò)充有序推進(jìn)。D-mode 650V G5平臺多款產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)階段，關(guān)鍵技術(shù)與客戶突破成效顯著。公司推出的第四代D-mode GaN系列新品，可廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、車載充電機(jī)（OBC）、激光雷達(dá)、機(jī)器人、高端快充等高增長領(lǐng)域，為中高電壓、大電流、高頻高效以及對空間和重量敏感的應(yīng)用場景提供更高效、更緊湊的能源解決方案。E-mode 40V平臺通過超高可靠性驗證，獲得頭部客戶認(rèn)證及訂單，工藝性能行業(yè)領(lǐng)先；面向工控大功率電源、數(shù)字服務(wù)器電源的產(chǎn)品，公司正同步開發(fā)80V/100V/650V平臺，持續(xù)拓寬GaN產(chǎn)品線。

AI終端驅(qū)動需求爆發(fā)，前瞻布局傳感器和光芯片增量賽道

AI大模型的訓(xùn)練與推理加速了數(shù)據(jù)中心、云計算、AI集群等基礎(chǔ)設(shè)施的升級，800G、1.6T高速光模塊配置量快速提升，直接拉動光芯片需求；智能駕駛、機(jī)器人、智能工廠等物理智能終端則催生高性能傳感器的海量需求。傳感器與光芯片成為AI時代核心增量賽道。

傳感器業(yè)務(wù)方面，公司布局壓力傳感、慣導(dǎo)系統(tǒng)、雷達(dá)探測等多品類智能傳感器，全面覆蓋AI終端數(shù)據(jù)采集需求，為AI系統(tǒng)提供精準(zhǔn)可靠的原始數(shù)據(jù)輸入；同時向多電機(jī)控制與機(jī)器人關(guān)節(jié)等高性能領(lǐng)域，拓展壓力、慣性傳感器系列，滿足終端AI數(shù)據(jù)感知需求。此外，公司積極布局光芯片產(chǎn)品，力爭為AI海量數(shù)據(jù)高速傳輸提供核心器件支撐，全面適配AI時代數(shù)據(jù)高速互聯(lián)需求。

三大增長曲線協(xié)同發(fā)力，IDM全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢持續(xù)放大。華潤微以硅基半導(dǎo)體與特色工藝、SiC/GaN第三代化合物半導(dǎo)體、傳感器與光芯片為戰(zhàn)略支點，深度綁定AI全鏈路場景，已落地一系列實質(zhì)性突破。面向AI算力、汽車電子、新能源等萬億級市場，公司將持續(xù)加大研發(fā)投入，加速產(chǎn)能釋放，精準(zhǔn)拓展客戶，鞏固硅基基本盤，放大三代半先發(fā)優(yōu)勢，搶占傳感器與光芯片增量高地，穩(wěn)步邁向世界領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體和智能傳感器產(chǎn)品與方案供應(yīng)商。

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