5月18日，芯片板塊逆勢上漲。

來源：Wind

存儲方面，全球存儲芯片進入超級周期。近期美股存儲龍頭業(yè)績持續(xù)超預期，進一步驗證存儲行業(yè)正處新一輪高景氣上行周期。在AI算力需求爆發(fā)與端側設備存儲規(guī)格升級的雙重驅動下，HBM3E、DDR5等高帶寬存儲的需求保持剛性增長，疊加傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心補庫存，存儲巨頭產(chǎn)能滿載仍供不應求，存儲供需緊張格局或延續(xù)至2028年。價格方面，二季度存儲產(chǎn)品漲價幅度已超出市場此前預期，三季度漲價幅度存在進一步上調的可能，漲價預期持續(xù)強化。價格的持續(xù)堅挺與盈利能力的顯著修復，正不斷提振存儲龍頭的擴產(chǎn)信心與資本開支意愿，后續(xù)產(chǎn)能爬坡與先進制程投資有望提速，進而帶動設備、材料及封測等上游產(chǎn)業(yè)鏈的景氣度同步上揚。

算力方面，隨著Agent滲透持續(xù)提升配比，CPU依舊有較強彈性。隨著大模型推理場景深入，CPU與GPU的協(xié)同計算正推動兩者配比向1:1收斂，數(shù)據(jù)中心CPU業(yè)務迎來第二增長曲線，相關設計廠商估值空間被打開。GPU方面，全球AI capex持續(xù)提升，2026年約為8000億美元，2027年約為1.13億美元，持續(xù)高速增長。

全球宏觀方面，美國10年期國債收益率最高上升至4.601%，為2025年5月以來最高水平；美國30年期國債收益率最高上升至5.130%，為2025年7月以來最高水平，或將對全球權益資產(chǎn)形成一定壓制。投資者風險偏好趨于收緊，估值偏高板塊或將面臨調整壓力。

展望后市，存儲漲價敘事和CPU重估敘事或將持續(xù)。但需注意板塊自4月以來累計漲幅可觀，且當前美債利率走高對權益市場的壓制，需警惕短期回調風險。感興趣的投資者可持續(xù)關注科創(chuàng)芯片設計ETF（589260），半導體設備ETF（159516）、芯片ETF（512760），科創(chuàng)芯片ETF（589100）、集成電路ETF（159546）。

風險提示：

投資人應當充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲蓄方式的區(qū)別。定期定額投資是引導投資人進行長期投資、平均投資成本的一種簡單易行的投資方式。但是定期定額投資并不能規(guī)避基金投資所固有的風險，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲蓄的等效理財方式。

無論是股票ETF/LOF基金，都是屬于較高預期風險和預期收益的證券投資基金品種，其預期收益及預期風險水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場基金。

基金資產(chǎn)投資于科創(chuàng)板和創(chuàng)業(yè)板股票，會面臨因投資標的、市場制度以及交易規(guī)則等差異帶來的特有風險，提請投資者注意。

板塊/基金短期漲跌幅列示僅作為文章分析觀點之輔助材料，僅供參考，不構成對基金業(yè)績的保證。

文中提及個股短期業(yè)績僅供參考，不構成股票推薦，也不構成對基金業(yè)績的預測和保證。

以上觀點僅供參考，不構成投資建議或承諾。如需購買相關基金產(chǎn)品，請您關注投資者適當性管理相關規(guī)定、提前做好風險測評，并根據(jù)您自身的風險承受能力購買與之相匹配的風險等級的基金產(chǎn)品。基金有風險，投資需謹慎。