每經(jīng)AI快訊，10月22日，中信建投研報稱，隨著半導體產(chǎn)業(yè)更先進制程邁進，芯片尺寸縮小而功率激增，“熱點”問題突出，芯片表面溫度過高會導致安全性和可靠性下降，催生對高效散熱方案的需求。金剛石是理想散熱材料，熱導率可達2000W/m?K，是銅、銀的4—5倍，也是硅、碳化硅等半導體材料的數(shù)倍至數(shù)十倍，且兼具高帶隙、極高電流承載能力、優(yōu)異機械強度與抗輻射性，在高功率密度、高溫高壓等嚴苛場景中優(yōu)勢顯著。其應用形式包括金剛石襯底、熱沉片及帶微通道的金剛石結構，可適配半導體器件、服務器GPU等核心散熱需求。在制備上，化學氣相沉積法（CVD）為主流，可生產(chǎn)單晶、多晶、納米金剛石，國內(nèi)外企業(yè)已開發(fā)相關產(chǎn)品。伴隨算力需求提升與第三代半導體發(fā)展，未來金剛石在高端散熱市場空間廣闊。