截至2026年4月9日10:51，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）上漲2.19%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）上漲2.08%，沖擊三連漲。

熱門(mén)個(gè)股方面，新益昌上漲7.44%，中科飛測(cè)上漲6.45%，中船特氣上漲5.89%，拓荊科技，華海清科等個(gè)股跟漲。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏盤(pán)中換手6.04%，成交5.17億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤(pán)中換手3.14%，成交8294.75萬(wàn)元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏近1周規(guī)模增長(zhǎng)3.08億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增規(guī)模領(lǐng)先同類(lèi)；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)26.22億元。

資金流入方面，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出3763.77萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近9個(gè)交易日內(nèi)，合計(jì)“吸金”2048.75萬(wàn)元。

消息面上，SK海力士正在加快提升其10納米第六代（1c）DRAM的競(jìng)爭(zhēng)力，用于該工藝的極紫外（EUV）設(shè)備投資也比原計(jì)劃增加了約三倍。業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士正集中精力推進(jìn)1c DRAM技術(shù)的發(fā)展，以應(yīng)用于第七代高帶寬內(nèi)存（HBM）HBM4E核心芯片，并計(jì)劃于今年交付樣品。由于HBM的最大客戶英偉達(dá)計(jì)劃于明年下半年推出搭載HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必須加快研發(fā)步伐。業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。該公司計(jì)劃今年將其超過(guò)一半的DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為1c工藝產(chǎn)品，預(yù)計(jì)到年底將確保約19萬(wàn)片的產(chǎn)能。

招商證券指出，2026年全球晶圓廠資本開(kāi)支持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)先進(jìn)及成熟制程擴(kuò)產(chǎn)均可期。1）存儲(chǔ)方面，預(yù)計(jì)2026年DRAM和NAND資本開(kāi)支增長(zhǎng)，但預(yù)計(jì)整體位元產(chǎn)出有限。①預(yù)計(jì)2026年DRAM資本支出增長(zhǎng)14%，三大原廠面向1c制程及HBM4擴(kuò)張。②預(yù)計(jì)2026年NAND資本支出增長(zhǎng)5%，主要系鎧俠BiCS9/BiCS8研發(fā)量產(chǎn)及美光G9和eSSD?？紤]到潔凈室空間限制，DRAM及NAND位元增長(zhǎng)有限。③國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)原廠預(yù)計(jì)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，市占率有望持續(xù)提升；2）邏輯方面，2026年全球晶圓代工資本支出的年增長(zhǎng)預(yù)估為13%，多數(shù)企業(yè)的資本支出呈現(xiàn)小幅成長(zhǎng)或持平狀態(tài)，資金主要投向先進(jìn)工藝產(chǎn)能，成熟制程工藝仍然處于積極擴(kuò)產(chǎn)態(tài)勢(shì)；中芯/華虹等明年持續(xù)有新增產(chǎn)能釋放。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：024417；C類(lèi)：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場(chǎng)中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：020356；C類(lèi)：020357）：跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場(chǎng)指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價(jià)潮對(duì)“賣(mài)鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。